支柱絕緣子及瓷套是發(fā)電廠(chǎng)和變電站運(yùn)行的重要組成設(shè)備，起著支撐導(dǎo)線(xiàn)和絕緣作用，由于支柱絕緣子是高溫?zé)Y(jié)成的電瓷產(chǎn)品，如果在制作過(guò)程中配方不當(dāng)，工藝流程中原料混合不均勻，均易形成瓷件內(nèi)部缺陷，由于沒(méi)有固有的形變能且韌性極低，在長(zhǎng)期承受運(yùn)行中的機(jī)械負(fù)荷，以及大風(fēng)、雨雪等，從而使附加應(yīng)力增大，若支柱絕緣子存在微小缺陷，就可能造成破壞。因此，為確保北京**電網(wǎng)的**運(yùn)行，北京*****先生、華海恒輝趙繼珍先生共同協(xié)作，開(kāi)展了對(duì)支柱絕緣子的超聲探傷檢測(cè)研究，制定了《北京**瓷瓶工藝的研究》，對(duì)防止運(yùn)行中突然斷裂具有重要意義。
1.1支柱絕緣子及瓷套的組織特點(diǎn)
成品絕緣子及瓷套是采用白瓷、金具和水泥等多種材料組合而成的，瓷體主要由粘土長(zhǎng)石石英等鋁硅酸鹽原件混合配制，加工成一定形狀后，在高溫下燒結(jié)成的無(wú)機(jī)絕緣材料，瓷表面復(fù)蓋了一層玻璃質(zhì)平滑薄層釉。
陶瓷一般是通過(guò)將粉未原料成型，燒結(jié)而成的。經(jīng)過(guò)這些工藝所制得的陶瓷，是由于許多微晶聚集的多晶體構(gòu)成，這就不可避免的存在著晶界。晶界不僅在陶瓷燒結(jié)過(guò)程中起著重要作用，而且還對(duì)燒結(jié)體物理、化學(xué)性能有很大影響。
陶瓷的微觀(guān)結(jié)構(gòu)如圖1（a）所示，是由微晶、晶界、晶界析出物、晶界氣孔、晶粒內(nèi)析出物、晶粒內(nèi)氣孔等構(gòu)成的。構(gòu)成陶瓷主成分的微晶尺寸，一般由1微米至幾十微米，結(jié)晶軸方是任意的，微晶直徑與原料顆粒直徑、雜質(zhì)、燒結(jié)條件有關(guān)。陶瓷晶界有位錯(cuò)、空孔等晶格缺陷和晶格畸變存在。因而雜質(zhì)容易集中，形成圖1（b）、（c）、（d）所示的晶界偏析層、層狀析出物等。
1.2晶界偏析層一般將在晶界由偏析的雜質(zhì)離子所形成的層稱(chēng)為晶界偏析層。晶界偏析層厚度由20埃至1微米。在晶界，因?yàn)樾纬蛇h(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)一般固溶界限的固溶。所以，可以發(fā)現(xiàn)與結(jié)晶內(nèi)部晶相明顯不同的物質(zhì)。
1.3層狀析出物在含有雜質(zhì)特別多而超過(guò)固溶界限時(shí)，雜質(zhì)作為另外的結(jié)晶相在晶界析出。這種析出物有層狀和粒狀之分。層狀析出物通常由液相燒結(jié)所造成。晶界析出物的溶點(diǎn)比陶瓷的燒結(jié)時(shí)溫度低，產(chǎn)生液相燒結(jié)。在液相的浸潤(rùn)性良好時(shí)，完全浸透微晶晶界，各個(gè)微晶被液相包圍，形成層狀偏析層。 （a）陶瓷的典型微觀(guān)結(jié)構(gòu)：（b）晶界偏析層；（c）層狀析出物；（d）粒狀析出物 1.4粒狀析出物雜質(zhì)的量超過(guò)結(jié)晶固溶量，其熔點(diǎn)比燒結(jié)溫度高時(shí)，雜質(zhì)呈粒狀在晶界析出。MgO作為添加劑可用于透明氧化鋁陶瓷，但如添加量較多，則會(huì)在晶界析出MgAL2O4，從而降低透光性。由此可以看出陶瓷材料的特點(diǎn)是顯微組織復(fù)雜且不均勻。 傳統(tǒng)檢測(cè)方法存在的問(wèn)題和本課題研究方向
2.1傳統(tǒng)方法中有采用爬波等進(jìn)行支柱絕緣子探傷的報(bào)導(dǎo)，從實(shí)際需要檢測(cè)的部位分析：
1.由于支柱絕緣子與瓷套重點(diǎn)探測(cè)的部位恰為鑄鐵法蘭與瓷體相交附近的區(qū)域，該區(qū)域的顯著特點(diǎn)是水平跨距較小，約為15mm～50mm。此處一般有砂層覆蓋，當(dāng)扣除探頭無(wú)法放置的砂層過(guò)渡區(qū)后，串連式爬波探頭需要的*小跨距至少為20mm，由于探頭表面積大，因此需要瓷體無(wú)變形無(wú)砂粒平穩(wěn)面積較大，否則將導(dǎo)致接觸**，影響缺陷定量。
爬波雖對(duì)近表面缺陷有檢出能力，但對(duì)支柱絕緣子內(nèi)部缺陷以及瓷套的內(nèi)壁裂紋均無(wú)法檢出，因此，不能依此對(duì)被檢工件作**評(píng)價(jià)。
當(dāng)采用爬波檢查發(fā)現(xiàn)了缺陷信號(hào)，難于確定缺陷的性質(zhì)。
2.2亦有采用縱橫波等進(jìn)行支柱絕緣子探傷的介紹，因受檢測(cè)位置影響，僅可供部分瓷件的個(gè)別部位檢查，無(wú)法做到**有效檢驗(yàn)。且至今未見(jiàn)有關(guān)于專(zhuān)用標(biāo)準(zhǔn)試塊，探頭的研制，裂紋的定性、定量、定位的工藝方法研究以及在役帶電檢查方面的介紹。
2．2．1國(guó)內(nèi)外亦有采用紅外線(xiàn)，紫外線(xiàn)，激光等對(duì)絕緣子進(jìn)行帶電巡查的介紹，它們對(duì)瓷絕緣子串和支柱絕緣子的上部能見(jiàn)部分可能有效，原因之一是上部的感應(yīng)電壓高，但因受絕緣子表面的污穢程度，負(fù)荷、檢測(cè)位置、輻射角度，方向、距離，天氣，大氣吸收，以及儀器等因素的綜合影響，還不能使他們成為獨(dú)立的無(wú)損檢測(cè)方法應(yīng)用于支柱絕緣子的檢測(cè)。而本課題的研究重點(diǎn)是探測(cè)支柱絕緣子與瓷套埋藏在沿圓周鑄鐵法蘭內(nèi)側(cè)或與瓷體相交的砂層下的裂紋，實(shí)踐證明采用紅外線(xiàn)，紫外線(xiàn)，激光等方法無(wú)法檢測(cè)到這一部位。
2.3本課題的研究方向
2.3.1研制2.5 MHZ-超-微型并聯(lián)式爬波探頭。希望解決所有支柱絕緣子以及瓷套（外壁）裂紋的有效檢測(cè)。
2.3.2采用數(shù)字式超聲探傷儀對(duì)瓷套及支柱絕緣子試塊模擬裂紋試塊群進(jìn)行測(cè)試，尋找出規(guī)律。
3.支柱絕緣子及瓷套超聲波探傷工藝研究
3.1 支柱絕緣子及瓷套超聲波探傷系列試塊研制
3.1.1試塊的選用
支柱絕緣子的檢驗(yàn)必須借助于試塊來(lái)測(cè)定專(zhuān)用探頭的入射點(diǎn)和折射角等邊。超聲波探傷試塊的合理與否，直接關(guān)系到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
鋼質(zhì)（JYZ）絕緣子及瓷套系列試塊
用20＃鋼制作，按不同直徑厚度支柱絕緣子及瓷套探傷的需要在試塊上加工不同深度的ф1×25橫孔，以及不同深度的線(xiàn)切槽（模擬裂紋）
圖1JYZ-1型試塊適用于Φ80、Φ100及相近直徑的支柱絕緣子， 瓷套的校對(duì)測(cè)定
圖2 JYZ-2型試塊適用于 Φ120、Φ140mm及相近直徑的支柱絕緣子及瓷套的校對(duì)測(cè)定。
圖3JYZ-3型試塊適用于 Φ140、Φ160及相近直徑的支柱絕緣子與瓷套的校對(duì)測(cè)定。
3.1.1.2支柱絕緣子系列試塊
采用Φ80、Φ100、Φ120、Φ140、Φ160mm五種規(guī)格的在役支柱絕緣子設(shè)計(jì)并加工出模擬裂紋試塊群（切割裂紋）見(jiàn)圖4至圖8。在取得數(shù)千例實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上，對(duì)支柱絕緣子進(jìn)行合理的探傷分類(lèi)。
由圖4至圖7可以看出支柱絕緣子的需要檢測(cè)的部位是靠近鑄鐵法蘭的末裙下，與鑄鐵結(jié)合處。
變壓器與電流電壓互感器、耦合電容器等瓷套的直徑與壁厚如圖8所示，由于它的開(kāi)裂范圍是位于瓷套的下部?jī)?nèi)壁或外壁，因此檢查瓷套時(shí)要考慮內(nèi)外壁均應(yīng)檢測(cè)。
支柱絕緣子插入法蘭是采用水泥和砂漿將其牢固的粘接在一起，因此在結(jié)合處（即在放置超聲波探頭進(jìn)行掃查的探測(cè)面上附有堅(jiān)固且附著力很強(qiáng)的水泥砂漿區(qū)，從圖4-7可以看出它們占有的寬度為5-15mm不等，一般為10mm左右，根據(jù)實(shí)測(cè)估算，已經(jīng)占據(jù)了有效探測(cè)面的1/3-1/4.（這也是串聯(lián)式爬波探頭移動(dòng)距離受阻的主要原因）。而且在探傷時(shí)是無(wú)法**的。
3.2.7支柱絕緣子及瓷套超聲波爬波探頭的研制 國(guó)內(nèi)一些單位在爬波探傷研究方面做了很多工作，并且已經(jīng)運(yùn)用于支柱絕緣子的表面裂紋探傷，但由于采用的為串聯(lián)式探頭，體積偏大，導(dǎo)致部分支柱絕緣子及瓷套應(yīng)該檢查的部位無(wú)法放置探頭，因而不能做到100%檢驗(yàn)。
雖然爬波僅僅對(duì)表面和近表面缺陷有效，但對(duì)工程量較大的普查檢驗(yàn)說(shuō)來(lái)，仍不失為是一種快速的檢驗(yàn)方法，為此，我們研制出微型并聯(lián)式爬波探頭解決了體積偏大這一難題。
微型并聯(lián)式爬波專(zhuān)用探頭的型貌及設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)見(jiàn)下圖
頻率：2.5MHz 晶片尺寸：7 mm×10 mm×2
3.3 支柱絕緣子及瓷套的模擬裂紋試驗(yàn)
采用入射角5o-8o，2.5MHZ,5MHZ二種頻率的縱波斜探頭，以及爬波探頭，五臺(tái)不同型號(hào)的超聲波探傷儀，實(shí)測(cè)支柱絕緣子試塊及瓷套試塊的內(nèi)外壁模擬裂紋。
采用2.5MHZ,5MHZβl為10.5.o-12o縱波斜入射探頭及五種不同型號(hào)儀器，部分支柱絕緣子試塊群模擬裂紋缺陷實(shí)測(cè)情況見(jiàn)表3、4、5、6、7
采用2.5MHZ,5MHZβl為=16o-19.5o縱波斜入射探頭對(duì)瓷套內(nèi)壁模擬裂紋缺陷情況見(jiàn)表8、9、10、11、12、13
采用并聯(lián)式爬波探頭對(duì)瓷套外壁模擬裂紋缺陷實(shí)測(cè)情況見(jiàn)表14、15
采用并聯(lián)式爬波探頭對(duì)支柱絕緣子模擬裂紋缺陷實(shí)測(cè)情況見(jiàn)表16、17
從測(cè)試結(jié)果看：當(dāng)模擬裂紋深度≤2mm時(shí)，采用5MHZ探頭將導(dǎo)致分辨率下降，當(dāng)模擬裂紋≥2mm時(shí)，采用5MHZ探頭，此時(shí)的缺陷與底波的分辨率明顯優(yōu)于2.5MHZ探頭。
平均分辨率>14db，裂紋反射波高度比φ1×25橫孔波幅高度平均約高7db 。
3.3.1測(cè)試結(jié)果比較分析：
由于EPOCHIⅢ(2300)及USM25DAC數(shù)字式儀器對(duì)爬波的識(shí)別能力較差，因此，瓷套外壁及支柱絕緣子的模擬裂紋測(cè)試采用了模擬式ST-7型以及HS611型數(shù)字式探傷儀測(cè)定，測(cè)試結(jié)果表明，裂紋反射波高比深度1×25模擬裂紋波幅高度平均約高：ST-7；瓷套外壁為20db，支柱絕緣子為13db，HS611；瓷套外壁為23db，支柱絕緣子為23db
3.3.2波高比較系指裂紋反射波高度比Φ1×25橫孔或深度1×25模擬裂紋波幅高度平均約高
3.3.3從試驗(yàn)結(jié)果可以看，當(dāng)采用縱波斜入射方法檢測(cè)時(shí)，裂紋與底波間的分辨率應(yīng)是裂紋檢出的關(guān)鍵，而EPOCHIⅢ(2300)及USM25DAC數(shù)字式儀器分辨率顯然低于其他儀器2db -4 db。
當(dāng)改變頻率時(shí)，可以看出5MHZ比2.5MHZ分辨率高約2 db-4db。因此，應(yīng)根據(jù)晶粒度選擇探頭頻率。在可能的情況下，應(yīng)盡可能選擇較高頻率，以提高缺陷的分辨率。、
應(yīng)根據(jù)晶粒度選擇探頭頻率，裂紋與底波間的分辨率應(yīng)是裂紋檢出的關(guān)健。判定缺陷的當(dāng)量則根據(jù)Φ1橫孔或深度1.0mm反射高度與缺陷反射波高度進(jìn)行比較。
3.3.4采用爬波測(cè)定表面或近表面裂紋深度、
將探頭置于與被探工件直徑相近的JYZ試塊的園弧面，對(duì)不同深度的模擬裂紋進(jìn)行測(cè)試發(fā)現(xiàn)，當(dāng)模擬裂紋深度8mm時(shí)，反射波高隨模擬裂紋深度增加而增高，當(dāng)模擬裂紋深度8mm時(shí)，反射波高隨模擬裂紋深度增加而平穩(wěn)下降，結(jié)果表明模擬裂紋在深度為1至6mm時(shí)反射波基本呈線(xiàn)性。測(cè)試情況見(jiàn)表18。
裂紋深度與波高關(guān)系曲線(xiàn)
3.3.5支柱絕緣子的探傷工藝方法研究
在役支柱絕緣子的檢測(cè)重點(diǎn)范圍確定：
支柱瓷體插入部分均約20mm，法蘭端面的水泥砂漿膠結(jié)區(qū)，是在役支柱絕緣子重點(diǎn)檢查的部位。
支柱絕緣子的幾種型式
平直型：如圖 13 所示，支柱絕緣子二側(cè)鑄鐵法蘭和**裙之間的有效跨距約為20mm～50mm，從圖13可知探頭折射角選擇10o～12o，此時(shí)的折射角完全可以滿(mǎn)足沿周向轉(zhuǎn)動(dòng)軸向掃查結(jié)合處及插入部分的范圍。
小角度錐體型如圖14所示，θ角一般為5o～6o，支柱絕緣子鑄鐵法蘭和末裙間的距離約為17 mm ～55mm，探頭折射角范圍應(yīng)為9°～11o
瓷套特點(diǎn)是空腹，且常規(guī)壁厚一般為20mm～50mm，由于探測(cè)面水平跨距相對(duì)較大，因此，外圓周表面裂紋等缺陷可以采用爬波檢測(cè)，而內(nèi)壁缺陷應(yīng)根據(jù)水平跨距的變化采用折射角為16o～19.5o的縱斜波探頭檢查。
1． 縱波斜探頭入射點(diǎn)的測(cè)定。
將探頭置于試塊曲面，移動(dòng)探頭找出圓弧*強(qiáng)反射波，此時(shí)探頭與試塊刻度對(duì)應(yīng)處即為探頭入射點(diǎn)。
縱波斜探頭折射角的測(cè)定
將探頭置于試塊曲面，找出深40mmΦ1 mm橫孔*強(qiáng)反射波，調(diào)整為80%波高，可以計(jì)算出縱波斜探頭折射角。
3．縱波斜入射掃描速度及探傷靈敏度的測(cè)定。
將探頭置于試塊曲面，找出與被檢瓷件直徑或厚度相近的Φ1mm橫孔*強(qiáng)反射波調(diào)整為80%波高衰減4-6db即為探傷靈敏度。掃描速度調(diào)整為比例1：1或者1：2。
4．爬波探頭掃描速度及探傷靈敏度的確定
將探頭置于相近試塊曲面找出距探頭前沿15mm，深1mm模擬裂紋反射波*強(qiáng)時(shí)調(diào)整為80%波高衰減10db即為探傷靈敏度，掃描速度調(diào)整為比例1：1或者2：1。
3.3.7支柱絕緣子直徑與探測(cè)面水平跨距的確定
平直型和小角度的支柱絕緣子以及瓷套的內(nèi)壁缺陷的水平跨距可由圖11查出直徑或壁厚、水平距離以及所采用的專(zhuān)用探頭的折射角度，大角度的支柱絕緣子則應(yīng)1：1作圖核定折射角度。
3.3.8探頭頻率的選取：
實(shí)測(cè)證明，采用縱波斜入射方法時(shí)，支柱絕緣子在下述三種情況下應(yīng)采用2.5MHZ的檢測(cè)頻率。
支柱絕緣子檢測(cè)位置的直徑>160mm。
5.缺陷的定位定量
5.1 缺陷的定位：
支柱絕緣子易斷裂的部位是應(yīng)力集中的鑄鐵法蘭與瓷體的結(jié)合部，應(yīng)該說(shuō)它是有規(guī)律的，從作圖法以及模擬裂紋實(shí)測(cè)均證實(shí)了缺陷波的落點(diǎn)均位于底波前。見(jiàn)圖17
瓷套管外壁缺陷波的落點(diǎn)位置特別，它們的特點(diǎn)是缺陷波前無(wú)雜波，見(jiàn)圖18
圖17 支柱絕緣子模擬缺陷裂紋圖18爬波檢查瓷套管外
反射波形態(tài)壁深1mm模擬裂紋波形態(tài)
從圖16和圖17可以看出當(dāng)模擬裂紋深度為1mm時(shí)，缺陷的反射訊號(hào)已相當(dāng)強(qiáng)烈。
5.2 缺陷的判別：
5.2.1采用縱波斜入射探傷掃查時(shí)會(huì)出現(xiàn)三種情況，分析如下：
**種情況是 沒(méi)有缺陷波，僅有孤立的底波，無(wú)附著雜波，波
幅清晰，聲壓高。判定無(wú)裂紋。
**種情況是當(dāng)探頭沿園周轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，底波附近無(wú)缺陷部位可能出現(xiàn)類(lèi)似缺陷的較強(qiáng)反射波群，此時(shí)除底波反射當(dāng)量較強(qiáng)外，其它雜波起伏不定，移動(dòng)探頭此起彼伏，無(wú)指示長(zhǎng)度，變化較大，反射當(dāng)量偏低，屬較明顯的點(diǎn)狀缺陷反射波，實(shí)測(cè)證明屬瓷件表面波紋或水泥膠結(jié)的砂粒透入波。系制造廠(chǎng)將支柱瓷絕緣子插入鑄鐵法蘭時(shí)在園周填充灌注的水泥膠與砂粒，這些膠合的砂粒作為過(guò)渡加強(qiáng)部分環(huán)繞在鑄鐵法蘭與瓷體的交接面上，而此處正是裂紋形成的區(qū)域（見(jiàn)圖12），因此，在超聲波掃查時(shí)，必須將此波與裂紋波區(qū)分開(kāi)來(lái)。搜索到缺陷波時(shí)應(yīng)盡可能與底波同呈，因?yàn)橥蕰r(shí)分辨率*高，容易辯認(rèn)。
第三種情況是缺陷波與底波同呈時(shí)，二波信號(hào)比<6db，即缺陷波信號(hào)低于底波信號(hào)，且缺陷波指示長(zhǎng)度<10mm時(shí)應(yīng)判定為表面損傷。>10mm時(shí)可判定為裂紋。
缺陷波與底波同呈時(shí)，二波信號(hào)比基本相等，且指示長(zhǎng)度<10mm時(shí)判定為點(diǎn)狀缺陷，指示長(zhǎng)度>10mm時(shí)應(yīng)判定為裂紋。
缺陷波與底波同呈時(shí)，二波信號(hào)比>6db，既缺陷波信號(hào)強(qiáng)于底波信號(hào)，且指示長(zhǎng)度>10mm時(shí)應(yīng)判定為裂紋。
5.2.2采用爬波檢查外壁缺陷時(shí)，由于采用TR探頭，顯示屏始脈沖后基本無(wú)雜波，缺陷信號(hào)容易識(shí)別。指示長(zhǎng)度易測(cè)定。掃查時(shí)會(huì)出現(xiàn)兩種情況，分析如下：
**種情況是外壁缺陷信號(hào)≤深度1.0mm模擬裂紋反射波高，此時(shí)應(yīng)測(cè)定其指示長(zhǎng)度，當(dāng)指示長(zhǎng)度≥10mm時(shí)應(yīng)判定為裂紋，<10mm時(shí)應(yīng)判定為表面損傷。
**種情況是當(dāng)缺陷反射波高>深度1mm模擬裂紋反射波高時(shí)，當(dāng)指示長(zhǎng)度≥5mm應(yīng)判定為裂紋。
爬波檢查外壁缺陷判定為裂紋時(shí)，應(yīng)采用縱波斜入射探頭進(jìn)行驗(yàn)證。以便*終確定缺陷性質(zhì)。
探測(cè)中如發(fā)現(xiàn)支柱絕緣子及瓷套內(nèi)部缺陷，應(yīng)采用與缺陷深度相近的JYZ系列試塊作當(dāng)量比較。
6．在役支柱絕緣子及瓷套進(jìn)行帶電探傷的試驗(yàn)研究
帶電進(jìn)行支柱絕緣子及瓷套探傷，能有效地早期發(fā)現(xiàn)瓷件內(nèi)部裂紋，從而提前預(yù)防事故的發(fā)生，是狀態(tài)檢修的一項(xiàng)新突破，對(duì)電廠(chǎng)、變電所避雷器、支柱絕緣子等因瓷件斷裂造成停電事故提供了有效的預(yù)防手段。
6.1試驗(yàn)措施的制定：
6.2試驗(yàn)前的準(zhǔn)備：天氣良好的情況下，準(zhǔn)備絕緣梯，穿戴絕緣鞋及絕緣手套，試驗(yàn)前先測(cè)量檢測(cè)位置的感應(yīng)電壓，當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到要求時(shí)，方可進(jìn)行帶電操作。（感應(yīng)電壓的普遍范圍以及試驗(yàn)總結(jié)見(jiàn)鑒定資料5）。檢測(cè)時(shí)應(yīng)采用棉紗或衛(wèi)生紙，將被檢部位擦拭干凈，涂上耦合劑，測(cè)試結(jié)束時(shí)，應(yīng)將被檢部位擦拭干凈。
6.4 儀器適應(yīng)性情況試驗(yàn)
由于在沒(méi)有任何先例的情況下進(jìn)行帶電測(cè)試，因此無(wú)法斷定儀器對(duì)高壓電場(chǎng)的適應(yīng)情況，因此我們組織了五臺(tái)具有代表性的超聲波探傷儀進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，實(shí)測(cè)證明五臺(tái)儀器性能穩(wěn)定，反射波形不抖動(dòng)，與沒(méi)有高壓電場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)狀態(tài)基本相同。因此可以認(rèn)為采用普通超聲波探傷儀完全可以進(jìn)行有效檢驗(yàn)。
另外由于被探支柱絕緣子及瓷套與超聲波探頭的接觸面較為光滑，且觀(guān)察時(shí)又以底波波高為基準(zhǔn)，因此探頭移動(dòng)速度可以較快，但實(shí)際測(cè)試發(fā)現(xiàn)由于EPOCHIⅢ(2300)及USM25DAC數(shù)字式儀數(shù)字式超聲波探傷儀采樣速度較慢，回波時(shí)間反應(yīng)滯后，缺陷波不能及時(shí)出現(xiàn)，有可能造成漏檢，因此建議在檢驗(yàn)中如采用上述兩種超聲波探傷儀時(shí)，應(yīng)適當(dāng)放慢探頭移動(dòng)速度。
6.5 測(cè)試情況：
詳見(jiàn)《220kV升壓站支柱絕緣子及瓷套超聲波檢測(cè)報(bào)告》
7. 總結(jié)：
課題組設(shè)計(jì)了多種模擬裂紋試塊在進(jìn)行大量的模擬測(cè)試和比對(duì)測(cè)試的基礎(chǔ)上，完成了該項(xiàng)工藝方法研究. | 