+ 返回首頁   + 加入收藏   + 聯(lián)系我們
產(chǎn)品搜索

產(chǎn)品目錄
行業(yè)標準
聯(lián)系我們

GB/T 5254-85鍺單晶晶向X光衍射測定方法

                          中華人民共和國國家標準

                        鍺單晶晶向X光衍射測定方法 GB/T5254-85

——————————————————————————————————————

本標準適用于測定鍺單晶棒及片的晶向。

1原理

    當一束波長為λ的單色X光入射到單晶表面,與晶體主晶面之間的掠射角θ符合布喇格定律時,將發(fā)生X光衍射。利用計數(shù)器探測衍射線,根據(jù)衍射線出現(xiàn)的位置,可以確定晶體的主晶向。應用X光定向儀測定鍺單晶的晶向,一般使用銅靶的Ka輻射,經(jīng)過鎳濾光片,可以獲得近似的單色X光,波長λ=0.154178nm。

    布喇格公式:

adsinθ=nλ  …………………………………………………⑴

 式中:θ—布喇格角(掠射角),度(分);

      λ—X光波長,λCuKa=0.154178nm;

       n—干涉級,正整數(shù);

       d—衍射晶面間距,。

d=a/√h2+k2+l2    ……………………………………………⑵

式中:a—晶格常數(shù),a=5.6575Ge);

h,k,l—晶面指數(shù)(密勒指數(shù))。

   入射X光束,衍射X光束和衍射面的法線在同一平面內(nèi),衍射X光束與透射X光束的夾角為2θ。

測量原理見圖1

 

1

   采用CuKd輻射為入射X光束時(λ=0.154178nm),在鍺的低指數(shù)晶面發(fā)生衍射的布喇格角(掠射角)

   衍射角 h、kl       布喇格角θ

           1   1   1       13°39

           2   2   0       22°40

           3   1   1       26°52

           4   0   0       33°02

           3   3   1       36°26

            4   2   2       41°52  

2 試樣

   對被測面無特殊要求,光滑平整的良好切割面即可。單晶棒生長軸晶向的測定,應使被測面垂直生長軸。

3 測量儀器和設(shè)備

3.1 X光定向儀

   定向儀主軸應與X光入射束嚴格垂直,試樣臺位置讀數(shù)精度為5°。

3.2 X射線防護裝置

4 測量步驟

4.1 鍺片晶向偏離角的測定

4.1.1 初步確定晶片被測面的大致晶向,將鍺片置于真空吸氣試樣臺上(或彈簧試樣臺上)使被測面與X光入射束垂直(即被測面平行定向儀主軸)。

4.1.2 根據(jù)大致確定的主晶面的晶面指數(shù),查表或計算相應的衍射角θ(布喇格角)。

4.1.3 計數(shù)管置2θ角位置。

4.1.4 試樣臺置θ角位置;調(diào)節(jié)試樣臺繞主軸轉(zhuǎn)動,使衍射束的強度*大,記錄試樣臺讀數(shù)刻度盤上的數(shù)值(即掠射角)Ψ1。

4.1.5 試樣以自身法線為軸。順時針轉(zhuǎn)動90°角,重復4.1.4條,并記錄此時的掠射角Ψ2。

4.1.6 試樣以自身法線為軸。順時針轉(zhuǎn)動90°角(此時相對初始位置轉(zhuǎn)動了180°角),重復4.1.4條記錄此時的掠射角Ψ3。

4.1.7 試樣以自身法線為軸,順時針轉(zhuǎn)動90°角(此時相對初始位置轉(zhuǎn)動了270°角)重復。

4.1.8 記錄此時的掠射角Ψ4。

4.2 單晶生長軸的晶向偏離角的測定

4.2.1 單晶棒固定在夾具上,并安放在定向儀的主軸上使被測面垂直X光入射束(即晶體生長軸垂直定向儀主軸)。

4.2.2 4.1.2~4.1.7條步驟進行測量。

5 結(jié)果的計算

5.1 計算晶向偏離角的水平和垂直分量α和β。

α=(Ψ1-Ψ3)/2  ………………………………………⑶

β=(Ψ2-Ψ4)/2  ………………………………………⑷

5.2 計算晶向偏離角Ψ

tgΨ=(tg2α+tg2β)1/2  …………………………………………⑸

   當Ψ<5°時,上式簡化為

Ψ=(α2+β2)1/2  ………………………………………⑹

6 測量報告

   a.試樣編號。

   b.屬于或接近的晶向。

   c.晶向偏離角在水平和垂直方向上的分量α和β。

   d.晶向偏離角Ψ。

   e.操作人員及日期。

   f.根據(jù)需要應寫入的內(nèi)容。

7 **度

   一般本標準可達到的精度不劣于±15′。

 

附錄A

關(guān)于鍺單晶晶向X光衍射測定方法的**規(guī)定

(補充件)

A1 X光對物質(zhì)有一定的穿透能力,射入人體會殺傷細胞,使人體組織受到一定的損傷。由于人體有相當?shù)淖陨砘謴蜋C能,在不超過規(guī)定的照射劑量時,受害的細胞組織可以很快恢復機能。一般全身照射的每周*大允許**劑量為01雷姆(rem),實際正常操作遠小于這個劑量。

A2 工作時,在X光主光束方向不應有任何人員,操作人員不應用手去拿試樣,更不能在主光束方向觀看。

A3 操作人員工作時,*好穿帶防護衣,帶鋁玻璃眼鏡。按國家有關(guān)規(guī)定,定期進行身體檢查。

____________________

附加說明:

本標準由中華人民共和國冶金工業(yè)部、中國有色金屬工業(yè)總公司提出。

本標準由北京有色金屬研究總院負責起草。

本標準主要起草人翟富義。

國家標準局1984-01-17發(fā)布                 1984-12-01實施

北京總部地址:北京朝陽區(qū)朝陽路71號 電話:010-51650108、82376306  售后服務電話:18698910848
公司法律顧問: 葉春律師 
京ICP備09057988號-1
 

京公網(wǎng)安備 11010802025974號